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RN1111ACT(TPL3) Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package CST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
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RN1111ACT(TPL3) fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN1111ACT(TPL3) prix de référence. RN1111ACT(TPL3) paramètres, RN1111ACT(TPL3) Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN1111ACT(TPL3) Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN1111ACT(TPL3) schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN1111ACT(TPL3) tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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