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RN1407,LF Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Part Status | Active |
Power - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
RN1407,LF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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RN1401(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3378 |
RN1401(TE85L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 14959 |
RN1401,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2668 |
RN1401S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3272 |
RN1401S,LF | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 252000 |
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RN1402 ,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 48236 |
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