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RN1507(TE85L,F)
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RN1507(TE85L,F) Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74A, SOT-753 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | SMV |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RN1501 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6317 |
RN1501(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2623 |
RN1502 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 14108 |
RN1502(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2520 |
RN1502TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6500 |
RN1503 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 17131 |
RN1503 (TE85R) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
RN1503(TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 12257 |
RN1503(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 12500 |
RN1504 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 41950 |
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