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RN1710JE(TE85L,F)
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RN1710JE(TE85L,F) Spécifications techniques
NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SOT-553 |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Active |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Power - Max | 100mW |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.1W |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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