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RN1901FETE85LF
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RN1901FETE85LF Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN1901FETE85LF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RN1901 | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 139395 |
RN1901 ,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 12307 |
RN1901(T5L | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 6309 |
RN1901(T5L ,F ,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
RN1901(T5L,F,T) | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
RN1901(T5L.F.T) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6500 |
RN1901(T5RSN | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 21424 |
RN1901(T5RSN ,D ,F ,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 21392 |
RN1901(T5RSN,D,F,T | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 24500 |
RN1901(T5RSNDFT | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 36388 |
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