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RN1906FE,LF(CT Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ES6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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RN1906FE,LF(CT fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN1906FE,LF(CT prix de référence. RN1906FE,LF(CT paramètres, RN1906FE,LF(CT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN1906FE,LF(CT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN1906FE,LF(CT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN1906FE,LF(CT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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