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RN1910FE(T5L,F,T)
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RN1910FE(T5L,F,T) Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RN1910 | TOSHI | Circuits intégrés spécialisés | 2462070 |
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2537 |
RN1910AFS | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 9152 |
RN1910AFS IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 9138 |
RN1910AFS(TL3EKA | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 10332 |
RN1910AFS(TL3EKA,E | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 10000 |
RN1910AFS(TPL3) | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 30000 |
RN1910FE | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 87206 |
RN1910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2595 |
RN1911 | TOHSBIA | Circuits intégrés spécialisés | 25682 |
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