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RN1964TE85LF
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RN1964TE85LF Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | US6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2656 |
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RN1962 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3189 |
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RN1962FE | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6394 |
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RN1962FE(TE85L.F) | Original | Circuits intégrés spécialisés | 0 |
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