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RN2106MFV,L3F(CT
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RN2106MFV,L3F(CT Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SOT-723 |
Part Status | Active |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
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