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RN2111MFV,L3F Spécifications techniques

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Power - Max 150mW
Other Names RN2111MFVL3F
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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RN2111MFV,L3F fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN2111MFV,L3F prix de référence. RN2111MFV,L3F paramètres, RN2111MFV,L3F Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN2111MFV,L3F Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN2111MFV,L3F schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN2111MFV,L3F tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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