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RN4907FE,LF(CT Spécifications techniques

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Manufacturer Package Identifier SON6-P-0.50
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Number of Elements 2
Power Dissipation 100mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Continuous Collector Current 100mA
Height 600μm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Weight 3.005049mg
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 100mW
Polarity NPN, PNP
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Frequency - Transition 250MHz 200MHz
hFE Min 80
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
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RN4907FE,LF(CT fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, RN4907FE,LF(CT prix de référence. RN4907FE,LF(CT paramètres, RN4907FE,LF(CT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RN4907FE,LF(CT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RN4907FE,LF(CT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RN4907FE,LF(CT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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