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SSM3J108TU(TE85L) Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158 mOhm @ 800mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
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