SSM3J168F,LF Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 82pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package S-Mini
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SSM3J168F,LF(B SSM3J168FLF SSM3J168FLF(B SSM3J168FLF-ND SSM3J168FLFTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
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