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SSM5N15FE(TE85L,F) Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVI
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SOT-553
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package ESV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 10mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
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