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SSM6L09FUTE85LF
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SSM6L09FUTE85LF Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 200MA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 5V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | US6 |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA, 200mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SSM6L05FU(TE85L) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2667 |
SSM6L05FU(TE85L,F) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 90000 |
SSM6L05FU(TE85LF) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 90500 |
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