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SSM6N16FUTE85LF Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package US6
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
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SSM6N16FUTE85LF fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, SSM6N16FUTE85LF prix de référence. SSM6N16FUTE85LF paramètres, SSM6N16FUTE85LF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SSM6N16FUTE85LF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SSM6N16FUTE85LF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SSM6N16FUTE85LF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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