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TH58BVG3S0HTA00
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TH58BVG3S0HTA00 Spécifications techniques
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Speed | 25ns |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
Memory Size | 8Gb (1G x 8) |
Interface | Parallel |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Series | Benand™ |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | EEPROM |
TH58BVG3S0HTA00 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Mémoire | 2673 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Mémoire | 549 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Mémoire | 3172 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Mémoire | 2973 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | Mémoire | 5382 |
TH58BVG2S3HTAI0B4H | TOSHIBA-KI OXIA | Circuits intégrés spécialisés | 1331 |
TH58BVG2S3HTAI0B4M | TOSHIBA-KI OXIA | Circuits intégrés spécialisés | 4575 |
TH58BVG3S0FTA00 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 349 |
TH58BVG3S0HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3408 |
TH58BVG3S0HBAI6 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3457 |
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