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TK100L60W,VQ
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TK100L60W,VQ Spécifications techniques
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 797W (Tc) |
Package / Case | TO-3PL |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P(L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
TK100L60W,VQ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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