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TK10E60W,S1VX
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TK10E60W,S1VX Spécifications techniques
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
TK10E60W,S1VX Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
TK10E60W | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 655 |
TK10E60W ,S1VX(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 365 |
TK10E60W MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 60691 |
TK10E60WS1VX | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2567 |
TK10E60WS1VX(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 381 |
TK10E80W | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3272 |
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