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TK12A60W,S4VX
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TK12A60W,S4VX Spécifications techniques
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
TK12A60W,S4VX Documents
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