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TK12E60W,S1VX Spécifications techniques

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
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TK12E60W,S1VX fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK12E60W,S1VX prix de référence. TK12E60W,S1VX paramètres, TK12E60W,S1VX Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK12E60W,S1VX Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK12E60W,S1VX schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK12E60W,S1VX tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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