TK16E60W5,S1VX Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 790µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 7.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.8A (Ta)
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