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TK20E60W,S1VX Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
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TK20E60W,S1VX fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK20E60W,S1VX prix de référence. TK20E60W,S1VX paramètres, TK20E60W,S1VX Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK20E60W,S1VX Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK20E60W,S1VX schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK20E60W,S1VX tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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