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TK31A60W,S4VX Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
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TK31A60W,S4VX fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK31A60W,S4VX prix de référence. TK31A60W,S4VX paramètres, TK31A60W,S4VX Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK31A60W,S4VX Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK31A60W,S4VX schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK31A60W,S4VX tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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