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TK31J60W,S1VQ
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TK31J60W,S1VQ Spécifications techniques
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P(N) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
TK31J60W,S1VQ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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