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TK32E12N1,S1X
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TK32E12N1,S1X Spécifications techniques
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVIII-H |
Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 60V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
TK32E12N1,S1X Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
TK32E12N1 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 716 |
TK32E12N1 ,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 21337 |
TK32E12N1 ,S1X(S IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 9440 |
TK32E12N1 MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 18966 |
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