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TK39N60W,S1VF Spécifications techniques

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38.8A (Ta)
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TK39N60W,S1VF fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK39N60W,S1VF prix de référence. TK39N60W,S1VF paramètres, TK39N60W,S1VF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK39N60W,S1VF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK39N60W,S1VF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK39N60W,S1VF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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