TK560P65Y,RQ Spécifications techniques

MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSV
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 7A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names TK560P65Y,RQ(S TK560P65YRQ(S TK560P65YRQTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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