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TK650A60F,S4X
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TK650A60F,S4X Spécifications techniques
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.16mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSIX |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Operating Temperature | 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
TK650A60F,S4X Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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