TK650A60F,S4X Spécifications techniques

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.16mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
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