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TK8Q65W,S1Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 3.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta)
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TK8Q65W,S1Q fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK8Q65W,S1Q prix de référence. TK8Q65W,S1Q paramètres, TK8Q65W,S1Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK8Q65W,S1Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK8Q65W,S1Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK8Q65W,S1Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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