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TK9A90E,S4X
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TK9A90E,S4X Spécifications techniques
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | π-MOSVIII |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
TK9A90E,S4X Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
TK9A90E | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 591 |
TK9A90E ,S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 438 |
TK9A90E.S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 641 |
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