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TPC8A02-H(TE12L,Q)
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TPC8A02-H(TE12L,Q) Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
TPC8A02-H(TE12L,Q) Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
TPC8A01 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 4018 |
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TPC8A01(TE12L,Q) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2900 |
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TPC8A01. | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 32900 |
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TPC8A02-H | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 27994 |
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