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TPCF8A01(TE85L) Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package VS-8 (2.9x1.5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names TPCF8A01(TE85L)TR TPCF8A01(TE85L,F) TPCF8A01(TE85L,F)-ND TPCF8A01FTR TPCF8A01FTR-ND TPCF8A01TE85L TPCF8A01TE85LF TPCF8A01TR TPCF8A01TR-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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