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TPH12008NH,L1Q Spécifications techniques

MOSFET N CH 80V 24A SOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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TPH12008NH,L1Q fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TPH12008NH,L1Q prix de référence. TPH12008NH,L1Q paramètres, TPH12008NH,L1Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TPH12008NH,L1Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TPH12008NH,L1Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TPH12008NH,L1Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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