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TPN2010FNH,L1Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta)
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