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TPN2R703NL,L1Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
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TPN2R703NL,L1Q fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TPN2R703NL,L1Q prix de référence. TPN2R703NL,L1Q paramètres, TPN2R703NL,L1Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TPN2R703NL,L1Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TPN2R703NL,L1Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TPN2R703NL,L1Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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