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TPN3R704PL,L1Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 0.2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max) 630mW (Ta), 86W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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