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TRS12E65C,S1Q Spécifications techniques
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
Supplier Device Package | TO-220-2L |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | TO-220-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 90µA @ 170V |
Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
TRS12E65C,S1Q Documents
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