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TRS6E65C,S1AQ Spécifications techniques

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) Silicon Carbide Schottky
Voltage - Breakdown TO-220-2L
Reverse Recovery Time (trr) No Recovery Time > 500mA (Io)
Polarization TO-220-2
Operating Temperature - Junction 0ns
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Manufacturer Part Number TRS6E65C,S1AQ
Diode Configuration 90µA @ 650V
Current - Reverse Leakage @ Vr 1.7V @ 6A
Capacitance @ Vr, F 175°C (Max)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 6A (DC)
RoHS Status Tube
Resistance @ If, F 35pF @ 650V, 1MHz
Other Names TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Expanded Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
Description DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 650V
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TRS6E65C,S1AQ fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TRS6E65C,S1AQ prix de référence. TRS6E65C,S1AQ paramètres, TRS6E65C,S1AQ Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TRS6E65C,S1AQ Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TRS6E65C,S1AQ schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TRS6E65C,S1AQ tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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