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TPH3202LD Spécifications techniques
GAN FET 600V 9A PQFN88
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Transphorm |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±18V |
Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
Package / Case | 4-PowerDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
TPH3202LD Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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