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8EWF12STR Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 270ns |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
8EWF10 | IR | Circuits intégrés spécialisés | 10386 |
8EWF10S | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2703 |
8EWF10S | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2737 |
8EWF10SPBF | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 2415 |
8EWF10STR | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 2000 |
8EWF10STR 8EWF10S | VISHAY/IR | Circuits intégrés spécialisés | 2000 |
8EWF10STR 8EWF10S MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 2379 |
8EWF10STRL | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 3000 |
8EWF10STRPBF | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1268 |
8EWF12S | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 19818 |
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