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BYG10J-E3/TR Spécifications techniques

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 4µs
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Avalanche
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
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BYG10J-E3/TR fabricants de marques: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip action, BYG10J-E3/TR prix de référence. BYG10J-E3/TR paramètres, BYG10J-E3/TR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le BYG10J-E3/TR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver BYG10J-E3/TR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, BYG10J-E3/TR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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