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BYG10Y-E3/TR3 Spécifications techniques
DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V (1.6kV) |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Avalanche |
Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
BYG10Y-E3/TR3 Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour BYG10Y-E3/TR3
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Feuilles de données
1.BYG10Y-E3/TR3.pdf 2.BYG10Y-E3/TR3.pdf
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Les pièces suivantes comprennent 'BYG10'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BYG10B | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1800 |
BYG10D | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2298 |
BYG10D-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 2630 |
BYG10D-E3/TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 50195 |
BYG10D-E3/TR | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 70087 |
BYG10D-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Redresseur à Diode Monophasé | |
BYG10D-E3/TR3 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 56700 |
BYG10D-E3/TR3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2774 |
BYG10D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Redresseur à Diode Monophasé | |
BYG10D-M3/TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 15322 |
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Actionneurs
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