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FESB16JT-E3/81 Spécifications techniques

DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 16A
Supplier Device Package TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 145pF @ 4V, 1MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 16A
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FESB16JT-E3/81 fabricants de marques: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip action, FESB16JT-E3/81 prix de référence. FESB16JT-E3/81 paramètres, FESB16JT-E3/81 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FESB16JT-E3/81 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FESB16JT-E3/81 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FESB16JT-E3/81 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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