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NSB8DTHE3/45 Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
NSB8DTHE3/45 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSB8DT | TI | Circuits intégrés spécialisés | 2599 |
NSB8DT-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2528 |
NSB8DT-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2724 |
NSB8DT-E3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2979 |
NSB8DT-E3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 1797 |
NSB8DT-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Redresseur à Diode Monophasé | |
NSB8DTHE3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2594 |
NSB8DTHE3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2783 |
NSB8DTHE3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2617 |
NSB8DTHE3_A/I | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 0 |
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