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S3MHE3/9AT Spécifications techniques

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A
Supplier Device Package DO-214AB, (SMC)
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Package / Case DO-214AB, SMC
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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S3MHE3/9AT fabricants de marques: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip action, S3MHE3/9AT prix de référence. S3MHE3/9AT paramètres, S3MHE3/9AT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le S3MHE3/9AT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver S3MHE3/9AT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, S3MHE3/9AT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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