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US1B-E3/61T Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
US1B-E3/61T Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
US1B-13 | Diodes Incorporated | Diodes - Redresseurs - Simple | 2754 |
US1B-13-F | Diodes Incorporated | Diodes - Redresseurs - Simple | 2457 |
US1B-E3 | VISHAYMAS | Circuits intégrés spécialisés | 31036 |
US1B-E3/5AT | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 99000 |
US1B-E3/5AT | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 99000 |
US1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | Redresseur à Diode Monophasé | |
US1B-E3/61T | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 158300 |
US1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | Redresseur à Diode Monophasé | |
US1B-M3/5AT | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 0 |
US1B-M3/5AT | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2671 |
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