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VS-ETH1506-M3 Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.45V @ 15A |
Supplier Device Package | TO-220-2 |
Series | FRED Pt® |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 15A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 29ns |
Package / Case | TO-220-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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VS-ETF075Y60U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2753 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-ETF150Y65N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2500 |
VS-ETF150Y65N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2510 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-ETF150Y65U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2685 |
VS-ETF150Y65U | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2655 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
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