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VS-FB190SA10
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VS-FB190SA10 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.35V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 180A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Power Dissipation (Max) | 568W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
VS-FB180SA10P | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2758 |
VS-FB180SA10P | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2652 |
VS-FB190SA10 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2566 |
VS-FB190SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Transistors MOSFET simples |
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