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VS-GB100TH120N Spécifications techniques
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Package / Case | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
IGBT Type | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Power - Max | 833W |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Configuration | Half Bridge |
VS-GB100TH120N Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2534 |
VS-GB05XP120KTPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2677 |
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100DA60UP | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 0 |
VS-GB100DA60UP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2778 |
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100LH120N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2689 |
VS-GB100LH120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2631 |
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100LP120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2567 |
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